SJ 50033.146-2000 半导体分立器件3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范
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ID： |
200B053836EF47F3BC278C3BE6B6BAD7 |
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文件大小(MB)： |
0.47 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/146—2000,半导体分立器件,3DA601型C波段硅双极型,功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA601,C band silicon bipolar power transistor,2000-10-20 发布2000-10-20 实施,中华人民共和国信息产业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA601型C波段硅双极型功率晶体管,SJ 50033/146—2000,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA601,C band silicon bipolar power transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DA601型C波段硅双极型功率晶体管（以下简称器件）的详细耍求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33A-97《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军,級、特军级利超特军级二级。分别用字母JP、JT和JCT表示,2引用文件,GB/T 4587-94半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管,GB/T 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33A—97半导体分立器件总规范,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计、结构制外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33A和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和镀涂,发射极和集电极引出端材料为可伐合金带,基极引出端为鸨铜。引出端表面镀金,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布2000-10-20 实施,-1 -,SJ 50033/146—2000,3. 2.2器件结构,本器件是采用硅外延台面结构的NPN型晶体管,3.2.3外形尺寸,外形尺寸见图b其尺寸代号参照GB" 7581 B2-09外形,D,mm,代尺寸,min max,A 3.38 3.88,4 2.84 3.0,4 0.68 0.84,C 0.05 0.13,Q 3.13 3.43,F 1.47 1.73,D 4.36 4.60,K 6.10 6.60,L 13.0 15.0,0P 3.15 3.45,q 14.02 14.52,u 20.07 20.57,E—发射极B一层极C—凭电极,图1器件外形图,- 2 -,SJ 50033/146—2000,3.3最大额定值和主要电特性,3. 3.1最大额定值,、、参,型ヽ、数,W,7^=25℃,*CBO,V,"cER,V,"ebo,V mA,り,C,Ts tg,C,3DA601 9.7 40 40 3 600 200 -65-200,注:1）7625。￠时按55.5 mW/K线性降额.,3. 3.2主要电特性（北=25。〇,\参,\数,\件,极、,限、 x\ 型号ヽ,砧んBO,mA,4bo,mA,ム也)j-c,K/W,Pose,dBm,P,dBm,Gp,dB %,%=5V,7c=200 mA,Q)=30 V,4=0,52 V,/c=0,/c=400 mA,@=2 V,"=1 S,￡=4.2 GHz,Kce=20V,/c=270 mA,た4.2 GHz,&20 V,最小,值,最大,值,最大,值,最大,值,最大,?值,最小,值,典型,值,最小,值,典型,值,最小,值,最小,值,典型,值,3DA601 15 150 0.1 0.1 18 29.2 30 31.8 33 8 15 20,3.4测河;要求,电测试应符合GJB 33A及本规范的规定,3.5标志,器件引出端识别应符合图1规定。器件包装上的标志应符合GJB 33A的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验按GJB 33A和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33A及本规范A、B、C和E组检验的规定,4.3 筛选（仅对JT和JCT级）,筛选应按本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的,器件应剔除,-3 -,SJ 50033/146—2000,筛选要求,筛 选,GJB 128A,方法サ,条件和要求,JT和JCT级,1.内部目枪2070 仅对JCT级器件,2.髙温寿命1032 200 ℃, 48 ho,3,温度循环,(空气一空气),1051 试验条件C, 20次,4.恒定加速度2006 196000m/s2, Y1方向,不要求保持1 min,9.中间电测试按本规范表1的A2分组,10.咼温反偏1039 厶=150 °C,ル广32 V, M8h,”.PDA的中间电测试ル El，,CBOI 和/EBCM,12.功率老炼1039 り=187.5 ±12.5 °C,厶e=1°V,んヌ2.5 W, 160 h,13.终点测试按本规范表1的A2分组:,厶ル距为初始值的±20%；,Pcb=30V 时，/cb。於〇」mA；,雇b=2V 时，/EBO^0.1mA,14.密封1071,(a)细检漏试验条件Hl,P=517kPa?k2h, R^5 mPa cm3/s,(b)粗检漏试验条件c,4.4质量一致性检验,4. 4.1 A组检验,A组检验……
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